Fujitsu zeigt ARM® CortexTM-M-Lösungen auf der Embedded World 2013 »

21 Feb, 2013

Besuchen Sie Fujitsu Semiconductor Europe auf den Messeständen unserer Partner Glyn, MSC und EBV Langen, Deutschland – 21. Februar 2013 – Fujitsu Semiconductor…

Fujitsu kündigt leistungsstarke MCU mit SHE-Coprozessor (Secure Hardware Extension) für… »

11 Dez, 2012

Atlas-L“, der neueste Baustein aus Fujitsus ARM Cortex-R4-Familie, bietet umfassende Sicherheitsfunktionen Langen, 11. Dezember 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) erweitert seine skalierbaren…

RS erweitert branchenführendes Halbleiter-Angebot durch Online-Reseller-Vereinbarung mit STMicroelectronics »

4 Dez, 2012

Wesentliche Erweiterung der Halbleiter-Optionen für Kunden durch großen Teil der ST Produktpalette (ddp direct) Mörfelden-Walldorf, 26. November 2012. – RS Components (RS), die…

Fujitsu bringt 16-kbit-FRAM mit ultraniedrigem Stromverbrauch im neuen SON-8-Package auf… »

28 Nov, 2012

SON-8-Package für mobile Ausrüstung verlängert die Batterielebenszeit und spart Leiterplattenplatz Langen, 28. November 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) kündigt heute die Erweiterung…

Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten »

26 Nov, 2012

GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente…

Vishay Intertechnology: Gut aufgestellt für volatilen Markt »

16 Nov, 2012

Finanzielle Solidität, Schlüsselmärkte, verstärkte technische Ressourcen Selb/Malvern, 13. November 2012 – Als einer der größten Hersteller von passiven Bauelementen und diskreten Halbleitern agiert…

Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor »

14 Nov, 2012

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges Power-Modul aus SiC München, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen…

Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie »

14 Nov, 2012

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen München, 8. November 2012 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz-…

Broadband World Forum 2012: Broadcom präsentiert breites Band an Netzwerktechnologien… »

17 Okt, 2012

Zahlreiche Neuigkeiten für Partner, Endkunden und Carrier auf dem Broadband World Forum – Partnerschaft mit D-Link München, 16. Oktober 2012: Broadcom Corporation (NASDAQ:…