Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf… »
19 Jan, 2016
Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd….
Samsung startet Massenproduktion von Chips in 14nm-FinFET-Logikprozesstechnologie der zweiten Generation »
18 Jan, 2016
Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd.,…
Samsung startet Massenproduktion der branchenweit ersten 128-Gigabyte DDR4-Module für Enterprise… »
26 Nov, 2015
Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory SEOUL, Korea, 26. November 2015 – Samsung Electronics…
Samsung tritt dem Progressive SemiConductor Program von Audi unter dem… »
23 Nov, 2015
Als erster Zulieferer von Halbleiterspeichern im Programm macht Samsung seine industrieweit führenden Lösungen für Automotive-Applikationen verfügbar Frankfurt am Main, 23. November 2015 –…