Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und… »
13 Nov, 2012
Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte…
Fairchild Semiconductor konzentriert sich auf der electronica 2012 auf Siliciumcarbid-Lösungen »
9 Okt, 2012
Fürstenfeldbruck – 09. Oktober 2012 – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein weltweit führender Anbieter von leistungsfähigen Lösungen für Leistungselektronik und mobile Halbleiter-Lösungen, zeigt…